深圳市淘芯电子有限公司

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NCEP1545K      TO-252        50K        VDS =150V,ID =45A

采用了独特优化的单沟技术，以提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的组合极低，传导和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。

NCEP1520        TO-220        15K          VDS =150V,ID =20A

采用了独特优化的单沟道技术，以提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的组合极低，传导和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。

NCE3065K        TO-252         50K         VDS =30V,ID =65A

采用先进的沟道技术和设计，以低栅电荷提供优秀的RDS（ON）。它可以用于各种各样的应用。

NCE70T1K2R       SOT-223      100K

该系列器件采用先进的沟门超级结技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS（ON）。这种超级结MOSFET适合于PFC、AC/DC功率转换和工业电源应用的AC-DC SMPS行业要求。

NCEP0160         TO-220         50K      VDS =100V,ID =60A

采用了独特优化的单沟技术，以提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的组合极低，传导和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。

NCEP3090GU      DFN5*6-8      100K         VDS =30V,ID =90A

采用了独特优化的单沟技术，以提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的组合极低，传导和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。

NCEP30T13GU      DFN5*6-8L     100K

采用独特优化的单沟技术，提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的组合极低，所以导通和开关功率损耗都最小化了。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。